Samsung brise le mur de 10 nm, avec une densité de mémoire ram accrue de 50%

La révolution technologique continue de se dérouler à grande vitesse. Samsung a récemment démontré que la mémoire vive DRAM n'avait pas atteint ses limites, en battant le record avec un processeur fonctionnant à moins de 10 nanomètres. C'est un exploit qui a suscité l'excitation dans le monde des semi-conducteurs.

L'innovation samsung : des cellules de mémoire plus compactes et plus efficaces

Les ingénieurs de Samsung ont surmonté un défi considérable en réinventant l'architecture de leurs processeurs. Au lieu de disposer les transistors et les condensateurs côte à côte, comme il était habituel, ils ont mis en œuvre une Technologie appelée Vertical Channel Transistor (VCT), qui permet d'empiler les condensateurs directement sur les transistors.

Cette innovation a permis de diminuer la taille des cellules de mémoire, passant de 6F (3x2) à 4F (2x2), ce qui représente une augmentation de densité de 50%. Mais cela ne signifie pas que les composants soient plus chers ou plus énergivores. Au contraire, la configuration en hauteur réduit la distance que doit parcourir l'électricité, ce qui réduit en conséquence la consommation de puissance.

Les premiers échantillons de silicium avec cette nouvelle architecture fonctionnent déjà parfaitement, même si la production en série n'est pas encore lancée. Mais les experts estiment que les gains de densité pourront atteindre entre 30 et 50% une fois que la Technologie sera pleinement optimisée et industrialisée.

Cette avancée de Samsung a des implications importantes pour l'industrie des semi-conducteurs et pour les utilisateurs de matériel informatique. Elle ouvre la voie à des ordinateurs et des smartphones plus puissants, plus économes et plus résistants.